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SIMOX是注氧隔離技術(shù)的簡稱。新傲科技采用此技術(shù)在普通圓片的層間注入氧離子以形成隔離層。此方法有兩個(gè)關(guān)鍵步驟：離子注入和退火。
在注入過程中，氧離子被注入圓片里，與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物。然而注入對圓片造成相當(dāng)大的損壞，而二氧化硅沉淀物的均勻性也不很好。隨后進(jìn)行的高溫退火能幫助修復(fù)圓片損壞層并使二氧化硅沉淀物的均勻性保持一致。這時(shí)圓片的質(zhì)量得以恢復(fù)而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有良好的絕緣性。

通過在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之間使用鍵合技術(shù)，兩個(gè)圓片能夠緊密鍵合在一起，并且在中間形成二氧化硅層充當(dāng)絕緣層。鍵合圓片在此圓片的一側(cè)削薄到所要求的厚度后得以制成。
這個(gè)過程分三部來完成。第一部是在室溫的環(huán)境下使一熱氧化圓片在另一非氧化圓片上鍵合；第二部是經(jīng)過退火增強(qiáng)兩個(gè)圓片的鍵合力度；第三部通過研磨、拋光及腐蝕來減薄其中一個(gè)圓片到所要求的厚度。

在傳統(tǒng)的鍵合和離子注入技術(shù)的基礎(chǔ)上，新傲及其合作伙伴發(fā)展了制備SOI材料的又一種方法：Simbond。 即在硅材料上注入離子，產(chǎn)生了一個(gè)分布均勻的離子注入層。此層用來充當(dāng)化學(xué)腐蝕阻擋層，可對圓片在最終拋光前器件層的厚度及其均勻性有很好的控制。采用新傲所首創(chuàng)的Simbond技術(shù)制備的SOI硅片具有優(yōu)越的SOI薄膜均勻性，同時(shí)也能得到厚的絕緣埋層。